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IRFHE4250D  ()
.型號:   IRFHE4250D
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100%
IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN
頂部外露電源模塊器件
直流 - 直流
應用提供卓越效率
2014
8
13
全球功率半導½和管理方案領導廠商 – ½際整流器公司
(International Rectifier,簡稱 IR)
推出
IRFHE4250D FastIRFET
雙功
MOSFET,藉以擴充電源模塊組件系列。新款 25V
器件在
25A
的電流下½夠比其它頂級的傳統電源模塊產品減少
5%以上
的功率損耗,適用于
12V
輸入
直流 - 直流
同步降壓應用,包括先進的電信和½絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本
(Ultrabook)
和筆記本電腦等。
IRFHE4250D
配備
IR
新一代硅技術,
并采用了適合背面貼裝的
6×6 PQFN
頂部外露纖薄封裝,
為電源模塊帶來更多封裝選擇。
這款封裝結合了出色的散熱性½、½導通電阻
(Rds(on))
與柵極電荷
(Qg),提供卓越的功率密度和較½的開關損耗,從而縮
減電路板尺寸,提升整½系統效率。
IR
亞太區銷售副總裁½大偉表示:
“高達
60A
額定值的
IRFHE4250D FastIRFET MOSFET
是全球首款頂部外露電源模塊器件,
提供行業領先的功率密度,有效滿足要求頂尖效率的高性½
直流 - 直流
應用。”
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